Csikósné Dr Pap Andrea Edit pap.andrea@kvk.uni-obuda.hu pap@mfa.kfki.hu
MEMS
Micro – Electro Mechanical Systems
Eljárások és eszközök
Mindenkinél legyen személyi igazolvány!
• ’70-es évek vége: mikroprocesszorok fejlődése –
olcsó személyi számítógépek kulcstechnológiája
• ’80-as évek vége: olcsó szilárdtest-lézer tömeggyártása internet kommunikáció kulcstechnológiája
• ’90-es évek vége: mikrorendszerek fejlesztése
érzékelők illesztésének kulcstechnológiája a valósidejű monitorozás és vezérlés számára
• nagy rendszer – változások vezérlése kis erőkkel
• minőségi előnyök a méretcsökkentés révén, új működési elvek realizálása
• csoportos megmunkálás, az eszközök integrálása akár IC-ben
• tetszőleges funkciók társítása; érzékelés, számítás, beavatkozás (aktuálás), vezérlés, kommunikáció
• az ezeket megvalósító eszközök integrálása egy rendszerben; erőforrás (telep, tápegység), antenna, érzékelők, beavatkozók
• alapvetően felületi-, rétegtechnológiai realizálás
• MEMS eszközök árképzése; 0.1 – 50 % a chip, 50 – 99 % a tokozás
MEMS eszközök kialakítása, fejlesztése nem szisztematikus kutatás eredménye, hanem kreatív, innovatív munka eredménye.
MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
• „civil” fogyasztók – 1 %
• számítástechnika – 7 %
• gyógyászat és bio – 8 % pl. mikro-robot, mikro-szonda, lab-on-a-chip, elektronikus orr, stb.
• egyéb ipar – 28 % pl. mezőgazdasági munkagépben a munkabeállítás vezérlése, vetőmag szelekció méret-, épség-, orientáció-, minőség ellenőrzése, válogatás, stb.
• autóipar – 56 % pl. motor- és futómű vezérlése, diagnosztika, élet- és menetbiztonság, kényelem, stb.
• Nagy tisztaságú térben végzett, több ember precíz, összehangolt munkája – drága infrastruktúra
• Kiindulási pont - Si egykristály szelet
• nagy görbületi sugarú – sík!
• kristályrács - hiba mentes
• egy vagy két oldalon polírozott
• definiált orientációjú (100)
• Felületkezelés - kémiai tisztítás
• füstölgő HNO3 és forró HNO3 (feloxidált felület)
• RCA tisztítás; 2 lépésben
szerves anyagok eltávolítása: NH4OH és H2O2 fémszennyeződés eltávolítása: HCl és H2O2
MEMS technológiák, eljárások - Start
• maszkoló réteg
• szigetelő réteg
• passziváló réteg
• Kialakítása:
• termikus oxidáció – magas T, oxidatív atmoszféra (O2, H2O)
• száraz
• nedves
• kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD)
• anódos oxidáció (elektrolízis pl. KOH-ban)
• plazma oxidáció (RF porlasztás)
• Minősítés (pl. C-V mérés, szivárgási áram mérése, stb.):
• vastagság / homogenitás
• tisztaság
• Adalékolás, felgyorsított részecskék – ionok, ioncsoportok - szilárd testekbe való belövése.
• Funkciója:
• diffúziót megelőző leválasztás - predepozíció
• p-n átmenetek kialakítása
• MOS tranzisztorok
• küszöbfeszültségének beállítása
• forrás és nyelő területeinek önillesztett kialakítása
• amorfizálás, getterezés
• felületi réteg mechanikai, elektromos, kémiai, optikai tulajdonságainak megváltoztatása, miközben ezek a térfogati tartományban nem változnak.
„ Lokálisan homogén” tulajdonságok kialakítása.
MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció
• nagy vákuumban
• ionforrásból kilépő, gyorsított ionok, tömegszeparátoron áthaladva érkeznek a Si felületre
• kezelendő felület „söpörtetett” – homogenitás biztosítása
• gyorsító feszültség reprodukálható és precízen beállított
• kontrollált hőmérsékletű target
• Hatása a szilárd testekre:
• az ionok eloszlását számítással, táblázatokból lehet meghatározni, mely alapján a valószínű eloszlás, várható érték megadható
• rugalmas / rugalmatlan ütközés
• adalékeloszlás nagyjából Gauss eloszlás
• rácskárosodás; ponthibák, összetett hibák
• Implantált ionok újraelosztása hőkezeléssel
• rácskárosodás megszüntetése
• az adalék elektromos aktiválása
Az ion és a meglökött atomok pályája
MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció
• Követelmények:
• egyenletes eloszlás a teljes szubsztráton
• azonos összetétel
• azonos szerkezet; azonos fizikai, kémiai tulajdonságok
• tömörség; szivacs vs. réteg, tűlyuk
• tapadás
• kis termomechanikai feszültség
• lépcsőfedés
• speciális követelmények; súrlódás, nedvesítés, biokompatibilitás
• gazdaságosság
Vékonyréteg leválasztás
• Alkalmazás:
• félvezető gyártástechnológia
• Mikro-elektromechanikai rendszerek
• hővezető bevonatok
• napelemek
• optikai alkalmazások (szűrők, rácsok, antireflexiós rétegek, stb.)
• kopásálló bevonatok (szerszámok, optikai elemek, humán protézisek, stb.)
• korrózióálló bevonatok
• dekorációs bevonatok
MEMS technológiák, eljárások –
Vékonyréteg leválasztás
• Előállítás:
• Fizikai módszerek
• szilárd forrásból – párologtatás, porlasztás; dc, rf, magnetron, MBE (Molecular Beam Epitaxy)
• olvadékból – LPE (Liquide Phase Epitaxy) pl. Cz, Fz
• Kémiai módszerek
• elektrolitból – galvanizálás
• oldatból, szuszpenzióból – lecsapatás, szol-gél technika
• gázfázisból – CVD (Chemical Vapour Deposition), VPE (Vapour Phase Epitaxy), MOCVD (Metal Organic …), LPCVD (Low Pressure …), PECVD (Plasma Enhanced
…), MWCVD (Micro Wave …), PACVD
(Photon/Plasma Assisted …), ALCVD (Atomic Layer …)
• CVD
• A szilárd terméket eredményező kémiai reakció csak a felületen megy végbe!
• Metódus:
• transzport a felületre
• adszorbció
• migráció – vándorlás a felületen; adszorpció – deszorpció
• kemiszorpció
• kémiai reakció
• deszorpció
• transzport a felületről
• Sebesség-meghatározó lépés
• transzport – reagens, ill. termék (PACVD)
• kémiai reakció (LPCVD, PECVD)
• kemiszorpció (ALD)
• MEMS: 2D IC technológia → 3D szerkezetek
• membránok, felfüggesztett elemek, mozgó alkatrészek
• mikrofluidikai alkalmazások: csatornák, üregek, reaktorok
• Mikromechanika:
• száraz és nedves kémiai marások
• elektrokémiai módszerek
• esetleg lézer vagy gyémánttárcsás Vágások
• Jellemző
• 1 – 500 µm
• Si kristály vastagsága 380 – 500 – 1000 µm
•Tömbi mikromechanika:
• Si egykrisályban vagy leválasztott rétegben
• 2 - 3 µm és 100 – 500 µm közötti üreg
• esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások
• pórusos Si alkalmazásával elérhető a felületi mikromechanika mérettartománya tömbi Si-ban
• DRIE alkalmazás
• Felületi mikromechanika
• felületi vékonyrétegekből
• amorf vagy polikristályos membrán
• 2 - 3 µm üreg
MEMS technológiák, eljárások –
Si micromachining: Si 3D megmunkálása
• Felületi mikromechanika eljárásait lásd fentebb
• segédréteggel
pl. oxid rétegen poliSi leválasztás, majd oxid eltávolítás
• Tömbi mikromechanika eljárásai:
• Si anizotróp lúgos marása
• Redox reakciósorozat (oxidáció – redukció - oldódás)
• Si + 2 OH- + 2 H2O →SiO2(OH)2- + 2 H2
• marási sebesség függ a Si kristály orientációjától és dópoltságától
• v<111> << v<100> << v<331>
• marásmegállító réteg (orientáció, dópoltság)
• ECES marás – elektrokémiai marásmegállítás
• Tömbi mikromechanika eljárásai:
• Si elektrokémiai marása – pórusos Si kialakítása
• dópoltság mértéke meghatározza a kialakuló réteg fizikai minőségét, homogenitása jó
• elektrolit koncentrációja, áramsűrűség, marási idő beállításával tervezhető a kialakított réteg porozitása, vastagsága, rendezettsége → optikai tulajdonásgai
• szelektivitás (p, p+, n)
• HF alapú elektrolit + C2H5OH (esetleg + H2O)
• Si + 2 HF + 2+ → SiF2 + 2H+ SiF2 + 4 HF → H2SiF6 + H2
• porSi szelektíven, gyorsan kioldható az egykristályos Si-ból
MEMS technológiák, eljárások –
Si micromachining: Si 3D megmunkálása
• Tömbi mikromechanika eljárásai:
• Si elektrokémiai marása – pórusos Si kialakítása
• Funkciója:
• feláldozandó réteg – előállítás, szelektív kioldás pl. üreg, membrán kialaításakor
• funkcionális szerkezeti réteg
• hőszigetelő
• érzékelő (nagy fajlagos felület)
• katalizátor (érzékenyített felület)
• SiO2-ban n-Si szigetek kialakítása
• optikai elem pl. szűrő, rezonátor, hullámvezető
• Tömbi mikromechanika eljárásai:
• nagy sűrűségű plazmamarók (HDPE, DRIE)
• mély árkok kialakítása reaktív ionokkal
• ciklikus marás – passziválás folyamat passziválás: n C4F8 → 4n CF2 marás: SF6 → F + ionok
• enyhén anizotróp marás →
függőleges falak kialakítása
MEMS technológiák, eljárások –
Si micromachining: Si 3D megmunkálása
• Nedves és száraz (plazma) marás
• Követelmény (mindkét esetben):
• egyenletesség
• szelektivitás
• marási sebesség kontrollja
• reprodukálhatóság
• megfelelő marási profil
• Nedves kémiai marás
• általában izotróp – egyes marószerek a Si egykristályt anizotrópan marják
• maszkoló réteg szükséges (lakk csak a savas marószerekre jó!), fontos a réteg tapadása, ábra alakjának „megtartása”
MEMS technológiák, eljárások –
Si micromachining: Si 3D megmunkálása
• Nedves kémiai marás
• Si izotróp marása
HF–HNO3–CH3COOH = (3:5:3) 80 µm/min, (2:5:15) 5 µm/min 3 Si + 4 HNO3 + 18 HF → 3H2SiF6 + 4 NO + 8 H2O
(a HNO3 oxidál, a HF az oxidot oldja)
HF:HNO3:H2O = (3:50:20) polikristályos Si marása 0.8 µm/min
• Si anizotróp marása
szervetlen és szerves lúgokban, lásd 3D megmunkálás
• Si3N4
Si3N4 + 18 HF → H2SiF6 + 2 (NH4)2SiF6
3 Si3N4 + 27 H2O + H3PO4 → 4 (NH4)3PO4 + 9 H2SiO3 (140 -160 ˚C)
• Nedves kémiai marás
• SiO2
SiO2 + 6 HF = H2SiF6 + 2 H2O
sebesség a HF (H+, F-, HF2-) koncentrációtól függ
pH és T függő → puffer oldatban, állandó pH, azaz állandó HF (H+, F-, HF2-) koncentráció mellett alkalmazzuk
HF:NH4F = 10 :1
• Al
savban
2 Al + 6 H+ → 2 Al3+ + 3H2 lúgban
2 Al + OH- + 6 H2O → 2 [Al(OH)4]- + 3 H2
MEMS technológiák, eljárások – Rétegeltávolítás
• Száraz kémiai, avagy plazma marás
• halogénekkel: F és Cl alapú plazmák
• a termék gázhalmazállapotú
• Si
CF4 plazma, de ebben kicsi a Si marási sebessége
csökkenteni kell a CF3* mennyiségét és növelni a F* mennyiségét marógázok: CF4 + O2 (5 – 20%), SiF6 + O2, NF3
• SiO2
CF3* + 3 SiO2 → SiF4 + 2 CO + 2 CO2
csökkenteni kell a F* mennyiségét és növelni a CF3* mennyiségét marógázok: CF4 + H2, CHF3 + H2, C3F8 + H2
• Plazma marási profilok
• ionmarás – csak fizikai porlasztás anizotróp + geometriai hatások és visszaporlódás
• marás gyökökkel – tisztán kémiai izotróp
• marás gyökökkel és irányított
ionokkal – fizikai és kémiai marás izotróp – anizotróp marási hatások
• marás gyökökkel és irányított ionokkal + oldalfal maszkolás polimerrel –fizikai és kémiai anizotróp
MEMS technológiák, eljárások – Rétegeltávolítás
• Ábrakészítés, mintázat átvitel
• kontakt
• proximity
• projekciós
• Fotolakk optikai tulajdonságai
• monokromatikus fénnyel való exponálás esetén állóhullámok keletkeznek
• a hatás csökkenthető, eliminálható több hullámhosszat tartalmazó fényforrás alkalmazásával
utóhőkezeléssel
• Fotolakk kémiája
• általában pozitív fotolakkot alkalmaznak az IC iparban, mert nem változtatja az alakját az előhívásnál
alkalmas nagy felbontásra
ellenáll a plazma – műveleteknek negatív lakkok általában mérgezőek
• komponensei
vízben oldódó, fényérzékeny fenol alapú filmképző polimer fényérzékeny, vízben való oldást gátló makromolekula
oldószer elegy (szerves)
MEMS technológiák, eljárások – Fotolitográfia
• Fotolitográfia – felbontás növelése
• vékony reziszt alkalmazása 0.1 µm
• kisebb λ levilágítás pl.
Hg, Hg/Xe, KrF excimer lézer lézer-plasma forrás
rtg, syncothron
elektron sugár – direkt írás ionsugár
• Ábrakialakítás vékonyrétegben
• visszamarással
• lift-off módszerrel
• nano-nyomtatás
• Fotolitográfiai műveletsor
• felület előkészítése – lásd kémiai tisztítás
• lakkfelvitel – porszennyezés kizárása → tisztatéri körülmények!
– homogén rétegvastagság
• lakkszárítás – oldószer eltávolítása 90 – 100 ˚C-on – lakkvastagság csökken 25 %-al
• exponálás, előhívás – az előhívó csak az exponált területet oldja ki – exponáláskor fontos a precíz illesztés
• lakkbeégetés – mintázat stabilizálása, általában 130 ˚C-on – változik az ábra mérete
• megmunkálás - a maszkoló fotolakk mintázat segítségével
• lakkeltávolítás, tisztítás – aceton, plazma marás O2 plazmában, füstölgő HNO3 -ban
MEMS technológiák, eljárások – Fotolitográfia
MEMS eszk ö z ö k - Tapint á s é rz é kel ő
8 × 8 –as érzékelő hálózat CMOS technológiával kialakított kiolvasó áramkörrel
TactoFlex 2x2
TactoScope 2x1
TactoPad 8x8
• Zn(NO3)2⋅6H2O és (CH2)6N4 c=0.004 M; T= 93 °C;
t=40 min-4 h
Zn-kel borított oldal
c/2 lépcsők
O-nel borított oldal
c lépcsők Hőkezelés
T=1050°C; t=12 h;
O2 atmoszféra
Elektronsugaras litográfia
Fémleválasztás
Hidrotermális növesztés
Ionmarás
Felületkezelés
1.
2.
3.
4.
5.
1.
3. 4.
5.
MEMS/NEMS eszk ö z ö k - Tapint á s é rz é kel ő nano-ban
ZnO nanorudak el ő á ll í t á sa
Hossz: L= 500 nm-2 µµµµm Távolság a szálak között: ΛΛΛΛ= 150–600 nm
Átmérő: D= 65-350 nm
C1 F
C3 C2
Piezoelektromos tulajdonsága folytán alkalmas a ZnO irány – szelektív erőmérésre.
MEMS/NEMS eszk ö z ö k - Tapint á s é rz é kel ő nano-ban
• Szelet szinten 96,07%-os kihozatal
• Érzéketlenebb a
mechanikai terhelésre
• 30-40%-kal kisebb alapjel változás a hőmérséklet hatására
MEMS eszk ö z ö k – Kapacitív elven m ű köd ő nyomásmér ő
Szerkezetkialakítás:
• Üveg hordozók (átlátszóság)
• 1 µm vastag Al elektródák
• 10 µm-es elektródaközök
• 2 µm vastag PSG szigetlő
• 30 µm mély csatornák
• Üveg-üveg anódos kötése
(köztes porlasztott Si réteggel)
Eszköz tesztelése:
• Fluidikai adapter a gáz és elektromos csatlakozások kezelésére
• Nagyfeszültségű tápegység (13 kHz)
• 1 atm. nyomású Ne gáz
MEMS eszk ö z ö k – Mikrofluidikai rendszerekbe
integrálható mikro-plazmegenerátorok
PDMS alapú kapilláris pumpa lokális felületmódosítása levegő plazmával
• Upp~600V / 13 kHz
• 1 atm. levegő
• 60 sec időtartam
• Nem perforált membránon alakítottunk ki Pt mikro-fűtőtesteket
• A két eltérő érzékelési mechanizmusnak megfelelően több féle katalizátor anyagot alkalmazhatunk
MEMS eszk ö z ö k – Taguchy és pellistor típusú gázérzékel ő k
2000 4000 6000 8000 100001200014000 -0,002
0,000 0,002 0,004 0,006 0,008 0,010 0,012 0,014 0,016
671 ppm 1300 ppm 1890 ppm 2449 ppm 2967 ppm 3460 ppm 3925 ppm 4366 ppm 4784 ppm
Air
Heating power:
13.8mW for one hotplate Gas cycles:
- Air - Air+CO
voltage (V)
time (s)
Output voltage (V) Baseline