• Nem Talált Eredményt

Szenzorok és mikroáramkörök 16. előadás

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Ossza meg "Szenzorok és mikroáramkörök 16. előadás"

Copied!
45
0
0

Teljes szövegt

(1)

1

SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK

16. ELŐADÁS: KÉMIAI ÉRZÉKELŐK I

2015/2016 tanév 2. félév

(2)

1.Bevezetés: kémiai érzékelők jelentősége és alkalmazási területei.

2.Kémiai érzékelők fontosabb típusai, érzékelési mechanizmusok és folyamatok.

3. Ionszelektív érzékelők, pH érzékelés.

4.Térvezérlésű tranzisztor (FET) típusú érzékelők:

ISFET, OGFET, Pd-gate FET.

5.Kvarc mikromérleg és AFH eszköz mint kémiai érzékelő.

6.Optikai és mikrohullámú spektroszkópiai módszerek.

7.Nedvesség és páratartalom érzékelés.

(3)

3

ALKALMAZÁSOK

Kémiai és biológiai érzékelők főbb alkalmazási területei Környezetmonitoring és védelem

Folyamat ellenőrzés Élelmiszeranalitika Élettudományok

Orvosi diagnosztika

Veszélyes-, tiltott-, robbanó-, stb. anyagok indikálása

(4)

BIO(CHEMICAL) SENSORS

(5)

5

KÉMIAI ÉRZÉKELŐK CSOPORTOSÍTÁSA

(6)

CHEMO- RESISTORS, CAPACITORS

(7)

7

MŰKÖDÉSI ELVEK

(8)

ION-SZELEKTÍV ÉRZÉKELŐK

Az ionszelektív érzékelők a folyadékok ionkoncentrációja meghatározására szolgálnak. Ennek fontos speciális esete a pH azaz a savasság/lúgosság mértékének meghatározása.

Mikroelektronikai kivitel: félvezető alapú, lényegében FET/MOSFET szerkezet. A vezérlőelektróda (gate) szerepét maga a mérendő folyadék játssza. Az érzékelési folyamat kihasználja azt, hogy a FET töltésvezérelt eszköz.

(9)

9

ION-SZELEKTÍV ÉRZÉKELŐK

FET típusú mikroelektronikai kémiai- (és gáz-) érzékelők:

ISFET - ion-selective FET

OGFET - oxide-gate FET

OSFET - oxide-semiconductor FET

ADFET - adsorption-FET

Pd-gate FET - (GasFET)

ChemFET - (Chemical FET)

(10)

pH ÉRZÉKELŐK

pH érték (hidrogénexponens, hidrogénkitevő) definíciója:

pH - a szabad hidrogénionok (pontosabban hidroxónium-ionok H3O+) koncentrációjának negatív, 10-es alapú logaritmusa, azaz

pH = - lg [H+]

A pH értékek gyakorlati skálája 0 < pH < 14 a víz disszociációs egyensúlyán alapul

H2O  H+ + OH- és [H+] [OH-] = const Savas közeg (sok H+) pH < 7

Semleges közeg pH  7

Lúgos közeg (kevés H+) pH > 7

(11)

11

FET TÍPUSÚ KÉMIAI ÉRZÉKELŐK

Az érzékelő aktív felületén az oldatban lévő ionok megkötődnek. Savas közegben pl. a felületen a pozitív ionok lesznek többségben, és az oldatban ezt kompenzálandó a felület felett egy a negatív ionokból álló réteg alakul ki. Ez így létrejött elektromos kettősréteg potenciálját (Nernst-potenciálját) érzékeli a FET eszköz.

Pl. erős salétromsav (HNO3) esetén túlnyomórészt H+ ionok kötődnek meg a felületen, ezek pozitív töltését az oldatbeli negatív ionok (NO3-) a felülethez vonzódnak, és egy negatív töltésű réteget hoznak létre a pozitív töltésű felület felett.

(12)

12

ELEKTROMOS KETTŐSRÉTEG KIALKULÁSI MECHANIZMUSA

Az elektromos kettősréteg és a N Nernst-potenciál kialakulása SiO2 felületén erős salétromsav (HNO3) hatására.

Savas közegben túlnyomórészt H+ ionok kötődnek meg a felületen, ezek pozitív töltését leárnyékolandó az oldatbeli negatív ionok (NO3-) a felülethez vonzódnak, kialakítva az elektromos kettősréteget.

(13)

13

FET TÍPUSÚ KÉMIAI ÉRZÉKELŐK

A Nernst potenciál

N = ln10 x (kT/q) pH = ln10 x Uth pH

Egységnyi pH változás ideális esetben ln10 x 26 mV  59 mV elcsúszást eredményez az eszköz (ISFET) karakterisztikájában.

(14)

ISFET

A folyékony fázisban (elektrolitban) való mérésre szolgáló ISFET és egy hagyományos MOS tranzisztor között az a különbség, hogy hiányzik a gate-fémezés. Helyette a gate- oxid, illetve az oxidot borító ionszelektív réteg közvetlenül az oldattal érintkezik, az oldat potenciálját pedig referenciaelektróda (általában ezüst) rögzíti.

Az érzékelőréteg hidrogénion-érzékelők esetén leggyakrabban szilícium-nitrid, alumínium-oxid, és tantál- oxid alapú, de vannak más (Na+, K+, Ca+ NH4+, Ag+, Cl- és Br-) ionok szelektív meghatározására alkalmas más bevonatok is.

(15)

15

ION-SENSITIVE FET (ISFET)

Szilícium-nitrid érzékelőréteges ISFET keresztmetszeti képe és mérési kapcsolása. 1 – nyelő, 2 – forrás, 3 – szubsztrát, 4 – tok, 5 – SiO2, 6 – Al fémezés, 7 – referencia elektróda, 8 - elektrolit 9 – Si3N4, 10 - szigetelés

(16)

ISFET

Referenciaelektróda: potenciálja független az adott oldatban az oldott species vagy a pH változásaitól (az elektróda felülete kémiailag stabil).

Ag/AgCl elektróda rendszer, ”nedves” kémia: ”sóhíd”

izolálás (pl. KCl, szilícium eszközön: párologtatatott Ag elektróda.

ISFET alkalmazás: egyszer használatos szenzor biomedikális alkalmazásokban.

(17)

17

ION-SENSITIVE FET

(18)

18

ISFET: pH- ÉS ION- (Na

+

) ÉRZÉKELÉS

1. pH érzékelés Si3N4/SiO2 réteggel.

2. Na+ ionok érzékelése aluminium-szilikát/SiO2 réteggel.

A Na+ ion érzékelés független az oldat pH értékétől, az ionérzékenység 55 mV/pNa.

(19)

19

ISFET

ISFET jelleggörbéi pH mérés esetén

(20)

20

Pd-GATE MOS TRANSISTOR: HYDROGEN

Pd-gate MOSFET vázlata.

Gate-oxid – 10 nm, fedő oxidréteg – 200 nm, vezető csatorna – 20 m x 1000 m.

(21)

21

Pd-GATE MOS TRANSISTOR: HYDROGEN

Hydrogen adsorbed on the metal gate as atomic hydrogen dissolves in the metal and diffuse to the metal-oxide interface where it gives rise to a dipole layer. The dipole layer changes the work function difference between the metal and semiconductor and thereby the threshold voltage of the MOS transistor. The threshold voltage change is easily measured.

1

 = C1p-1/2 +C2

UT

(22)

Pd-GATE MOS TRANSISTOR:

HYDROGEN

Érzékenység: 10 ppm H2, érzékeny H2S, NH3 gázokra is.

(23)

23

NEDVESSÉG-ÉS PÁRATARTALOM ÉRZÉKELŐK

A levegő nedvességtartalmának mérésére mind a hétköznapi életben mind a laboratóriumi klimatikus viszonyok megállapítása érdekében szükség van.

Hasonlóképen szükség lehet bizonyos gázok, vagy szilárd halmazállapotú anyagok nedvességtartalmának meghatározására.

1. Levegő nedvességtartalmának érzékelése és mérése.

2. Más gázok és szilárd anyagok nedvességtartalmának meghatározása.

(24)

PÁRATARTALOM MÉRÉSE

Gázelegy nedvességének/páratartalmának mértékegységei:

Abszolút pára- (vízgőz) tartalom: a vízgőz moláris aránya a gáz mennyiségéhez viszonyítva, (térfogat)ppm vagy mól%.

Relatív páratartalom: RH (relative humidity), a vízgőz parciális nyomása az adott hőmérsékleten érvényes telített gőznyomáshoz képest, %.

Harmatpont: az a hőmérséklet, melyen az adott gáz telítetté válik a vízgőzre. Ez alatt a vízgőz mint pára kicsapódik.

(25)

25

PSZICHROMETRIAI GÖRBE

-70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 10-2

10-1 100

101 102

Relativ páratartalom (%)

Harmatpont (oC)

(26)

PÁRATARTALOM ÉS HARMATPONT ÉRZÉKELÉS

1.Pszichrometer (nedves-száraz hőmérős módszer), az elpárolgás okozta hőmérsékletcsökkenés mérése.

2.Fotodiódás harmat-pontérzékelő (diffúz reflexió), a víz kondenzációs hőmérsékletének mérése.

3.Kapacitív (interdigitális) harmat-pontérzékelő, a víz kondenzációs hőmérsékletének mérése.

4.Különbségi frekvencia mérése.

5.Kapacitív érzékelés, víz-elnyelő polimer vagy alumínium- oxid dielektrikum fémréteg fegyverzetek között.

6.Nedvességérzékelő IGFET (insulated gate FET).

(27)

27

PSZICHROMETRIAI NEDVESSÉGÉRZÉKELŐ

Két-hőmérős pszichrometriai nedvességérzékelő.

A száraz hőmérő a referencia jelet adja, a nedves hőmérő a párolgás révén lehűl. A hőmérsékletkülönbségből a gázközeg páratartalma meghatározható.

pviz = psat – const x (Tszáraz – Tnedves) Megvalósítása és üzemeltetése nehézkes.

(28)

HARMATPONT ÉRZÉKELŐK

Harmatpont-érzékelők elvi vázlata.

Baloldalt: párakicsapódás érzékelése optikai úton, a diffúz reflexió mérésével.

Jobboldalt: párakicsapódás érzékelése kapacitásváltozás mérésével.

Mindkét esetben Peltier hűtőelem és megfelelő elektronikus visszaszabályozás szolgál a harmatponti hőmérséklet beállítására.

(29)

29

PHOTOLECTRIC DEW-POINT DETECTOR

(30)

RELATIVE HUMIDITY SENSORS

(31)

31

RELATIVE HUMIDITY SENSORS

(32)

KAPCITÍV NEDVESSÉGÉRZÉKELŐ

Alumínium-oxid szenzor aktív rétegének felépítése

(33)

33

(34)
(35)

35

HUMIDITY SENSOR

(36)

36

PÁRATARTALOM ÉRZÉKELŐ IGFET

Páratartalom érzékelő IGFET szerkezete. A felső elektróda porózus Au réteg.

(37)

37

PÁRATARTALOM ÉRZÉKELŐ IGFET

Páratartalom-érzékelő IGFET áramköri modellje és karakterisztikája. UbeRLgm

Uki = 

1 + Ci/Cs

Ci – gate szigetelés kapacitás, Cs – nedvességre érzékeny kapacitás

(38)

NEDVESSÉGÉRZÉKELÉS: OPTIKA

Optikai spektroszkópia.

Az infravörös tartományban a vízmolekulák elnyelési sávokkal (pl. 1870 nm a közeli infravörös tartományban) rendelkeznek.

Egyszerű mérés/érzékelés valósítható meg megfelelő hullámhosszúságú fényt kibocsátó fénydiódával (LED) vagy lézerdiódával (LD).

A módszer más gázok illetve gőzök kimutatására is alkalmas, a megfelelő elnyelési sávoknál elvégzett méréssel.

(39)

39

VÍZ ELNYELÉSI SPEKTRUMA

H2O

1,0E-22 1,0E-21 1,0E-20 1,0E-19 1,0E-18 1,0E-17

1500 2000 2500 3000 3500 4000

Wavelength, nm

Absorption intensity, cm/mol

A víz elnyelési spektruma a közeli (NIR) és közepes (MIR) infravörös sugárzás tartományában.

(40)

40

IR ABSZORPCIÓS MÉRÉS

Measuring LED

Reference LED

LED36 PD LED43

5mm

CO

2

Current Driver CO2

PD

Preamplifier Analog digital converter Processor /Display

H2O

H2O

Measuring LED

Reference LED

LED36 PD LED43

5mm

CO

2

Current Driver CO2

PD

Preamplifier Analog digital converter Processor /Display

(41)

Light Emitting Diodes and Detectors for H

2

O Sensors

Water has very strong absorption band in the range 2550-2750 nm and second strong enough absorption band in the range 1830-1900 nm.

H2O - second ab sorption b and

0,0E+00 5,0E-21 1,0E-20 1,5E-20 2,0E-20 2,5E-20 3,0E-20 3,5E-20 4,0E-20 4,5E-20 5,0E-20

1500 1600 1700 1800 1900 2000 2100 2200 2300 2400 2500 Wavelength, nm

Absorption intensity, cm/mol

H2O absorption LED21 spectrum LED18 spectrum PD24 spectrum LED16 spectrum

H2O - main ab sorption b and

0,0E+00 5,0E-20 1,0E-19 1,5E-19 2,0E-19 2,5E-19 3,0E-19 3,5E-19 4,0E-19

2000 2500 3000 3500 4000 4500

Wavelength, nm Absorption intensity, cm/mol

H2O absorption LED27 spectrum LED34 spectrum PD36 spectrum

H2O LED18

PD24 LED16 or

LED21

H2O LED27

LED34

PD3 6

(42)

NEDVESSÉGÉRZÉKELÉS:

MIKROHULLÁM

Mikrohullámú mérés.

A cm-es hullámhosszak tartományában (S-sáv 2,60-3,95 GHz, G-sáv 3,95-5,85 GHz, J-sáv 5,30-8,20 GHz és X-sáv 8,20-12,40 GHz) erős a víz elnyelése ( = 1-50 cm-1).

Igen elterjedt a mikrohullámú abszorpciómérés alkalmazása különféle szilárd anyagok (nyersanyagok, félkész- és késztermékek) nedvességtartalmának érzékelésére és mérésére, akár folyamatos on-line üzemmódban.

(43)

43

ANYAGOK NEDVESSÉGTARTALMÁNAK MÉRÉSE MIKROHULLÁMÚ MÓDSZERREL

Mérési elrendezés szemes/granulált anyagok nedvességtartalmának folyamatos mérésére (transzmisszió/fázistolás).

(44)

44

ANYAGOK NEDVESSÉGTARTALMÁNAK MÉRÉSE MIKROHULLÁMÚ MÓDSZERREL

Mérési elrendezés papír, textília, fa, farostlemez, stb.

nedvességtartalmának folyamatos mérésére (reflexiós- módszer).

(45)

45

NEDVESSÉGMÉRÉS MIKROHULLÁMÚ ABSZORBCIÓVAL

Üveggyári homok nedvességtartalmának folyamatos (on-line) méréséhez szolgáló kalibrációs görbe

(9,8 és 11,3 GHz).

Hivatkozások

KAPCSOLÓDÓ DOKUMENTUMOK

A napelem fizikai működését tekintve lényegében egy nagy felületű pn-átmenetes fotodióda, mely az áram-feszültség karakterisztika negyedik negyedében (generátoros

This article reports about the development of various discrete (single sensor) surface acoustic wave (SAW) handheld sensor systems, for detection and quantification of explosives

Felépítés: tömbi mikromegmunkálással kialakított négyzet- alakú membrán, a peremén piezorezisztív ellenállások. Wheatstone híd; az egyes hídágakban a mechanikai

The ISAAC is a two-chip accelerometer that consists of a differential, capacitive micromachined sense-element die assembled in an IC package along with a CMOS interface chip

A lemez alakú, hosszú de kis vastagságú eszközben a lemezre merőleges irányú mágneses tér a hosszirányú áramot hordozó elektronokat vagy lyukakat keresztirányba

Ha a könnyű mágnesezés irányára merőleges mágneses teret alkalmazunk, a momentumok elfordulnak a mágneses anizotrópia által kitüntetett irányból, így a

annak a mértéke, hogy az adott sugárzás hányszor nagyobb biológiai hatékonyságú, illetve hányszor nagyobb károsodást okoz, mint az alapul vett Röntgen- vagy

A legfontosabb és legelterjedtebb, nagyenergiájú EM sugárzás, illetve a nagyenergiájú részecske (nukleáris) sugárzás érzékelő a pin dióda. A záróirányban